Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMG6602SVTQ-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-11-25 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 1727 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A DIODES INCORPORATED
Полезная информация
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
DMG6602SVTQ-7
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMG6602SVTQ-7
Product ID
U-166239
Application
automotive industry
Case
TSOT26
Drain current
2.7/-2.4A
Drain-source voltage
30/-30V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.06/0.095Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.84W
Pulsed drain current
25...-20A
Type of transistor
N/P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
