Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A DIODES INCORPORATED
Tootekood: DMG6602SVTQ-7
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-11-25 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 1727 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A DIODES INCORPORATED
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
DMG6602SVTQ-7
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMG6602SVTQ-7
Product ID
U-166239
Application
automotive industry
Case
TSOT26
Drain current
2.7/-2.4A
Drain-source voltage
30/-30V
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.06/0.095Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.84W
Pulsed drain current
25...-20A
Type of transistor
N/P-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
