Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN67D8LDW-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW
Параметры товара поставщика
Product code
DMN67D8LDW-7
Supplier's product code
DMN67D8LDW-7
Product ID
U-2876242
Case
SOT363
Drain current
0.18A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
821pC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
7.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.41W
Pulsed drain current
0.8A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
DIODES INCORPORATED
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
