Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW DIODES INCORPORATED
Toote kood: DMN67D8LDW-7
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW DIODES INCORPORATED
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.8A; 410mW
Tarnija toote parameetrid
Product code
DMN67D8LDW-7
Supplier's product code
DMN67D8LDW-7
Product ID
U-2876242
Case
SOT363
Drain current
0.18A
Drain-source voltage
60V
Gate charge
821pC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
7.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.41W
Pulsed drain current
0.8A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
DIODES INCORPORATED
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
