Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W INFINEON TECHNOLOGIES
Номер продукта: IMW65R048M1HXKSA1
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
#Promotion
aac_202202
Case
TO247
Drain current
24A
Drain-source voltage
650V
Gate-source voltage
-5...23V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
63mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Pulsed drain current
100A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Product code
IMW65R048M1HXKSA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IMW65R048M1HXKSA1
Product ID
U-1876350
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
