Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W INFINEON TECHNOLOGIES
Tootekood: IMW65R048M1HXKSA1
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
#Promotion
aac_202202
Case
TO247
Drain current
24A
Drain-source voltage
650V
Gate-source voltage
-5...23V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES
Mounting
THT
On-state resistance
63mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Pulsed drain current
100A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Product code
IMW65R048M1HXKSA1
Brand
INFINEON
Supplier's product code
IMW65R048M1HXKSA1
Product ID
U-1876350
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
