Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Номер продукта: G3R160MT12D
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-07-11 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 915 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-2246883
NomNr
G3R160MT12D
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
G3R160MT12D
Product ID
U-2246883
Case
TO247-3
Drain current
16A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
28nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
0.16Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
123W
Pulsed drain current
40A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
G3R160MT12D
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
