Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Toote kood: G3R160MT12D
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-07-11 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 915 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W GeneSiC SEMICONDUCTOR
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Laokood
U-2246883
NomNr
G3R160MT12D
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
G3R160MT12D
Product ID
U-2246883
Case
TO247-3
Drain current
16A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
28nC
Gate-source voltage
-5...15V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Mounting
THT
On-state resistance
0.16Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
123W
Pulsed drain current
40A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
G3R160MT12D
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
