Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A SHINDENGEN
Номер продукта: P0R5B60HP2-5071
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-07-25 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2999 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A SHINDENGEN
Полезная информация
Спецификации
Артикул
U-1937078
NomNr
P0R5B60HP2-5071
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
P0R5B60HP2-5071
Supplier's product code
P0R5B60HP2-5071
Product ID
U-1937078
Case
FB (TO252AA)
Drain current
0.5A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
4.3nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
SMD
On-state resistance
10Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
35W
Pulsed drain current
2A
Technology
Hi-PotMOS2
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
