Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A SHINDENGEN
Toote kood: P0R5B60HP2-5071
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-07-05 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 2999 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A SHINDENGEN
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Laokood
U-1937078
NomNr
P0R5B60HP2-5071
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
P0R5B60HP2-5071
Supplier's product code
P0R5B60HP2-5071
Product ID
U-1937078
Case
FB (TO252AA)
Drain current
0.5A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
4.3nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
SHINDENGEN
Mounting
SMD
On-state resistance
10Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
35W
Pulsed drain current
2A
Technology
Hi-PotMOS2
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
