Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251 DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMT10H009LH3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251 DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251
Параметры товара поставщика
Product code
DMT10H009LH3
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMT10H009LH3
Product ID
U-2876348
Case
TO251
Drain current
67A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
20.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
THT
On-state resistance
13mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
61W
Pulsed drain current
336A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
