Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251 DIODES INCORPORATED
Tootekood: DMT10H009LH3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251 DIODES INCORPORATED
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; Idm: 336A; 61W; TO251
Tarnija toote parameetrid
Product code
DMT10H009LH3
Brand
DIODES INCORPORATED
Supplier's product code
DMT10H009LH3
Product ID
U-2876348
Case
TO251
Drain current
67A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
20.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
THT
On-state resistance
13mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
61W
Pulsed drain current
336A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
