💼 Хотите стать нашим B2B-клиентом? Пишите на [email protected]
💼 Хотите стать нашим B2B-клиентом? [email protected]

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET ONSEMI

Номер продукта: FDME820NZT
no gallery
no gallery
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

home delivery

Доставка на дом

Доставка на дом

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

Более 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

Бесплатно

К 25,00 €

(Заказы до 1000 кг)

4,50 €

Shipping parcel

Получение в почтомате

Получение в почтомате

После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.

3,50 €

Описание товара

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET ONSEMI

Спецификации

Артикул
U-2349861
NomNr
FDME820NZT

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET

Параметры товара поставщика

Product code
FDME820NZT
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDME820NZT
Product ID
U-2349861
Case
MicroFET
Drain current
9A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
8.5nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
reel
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
24mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.1W
Pulsed drain current
40A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].