Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET ONSEMI
Номер продукта: FDME820NZT
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET ONSEMI
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET
Параметры товара поставщика
Product code
FDME820NZT
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDME820NZT
Product ID
U-2349861
Case
MicroFET
Drain current
9A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
8.5nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
24mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.1W
Pulsed drain current
40A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
