Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET ONSEMI
Toote kood: FDME820NZT
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET ONSEMI
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2.1W; MicroFET
Tarnija toote parameetrid
Product code
FDME820NZT
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
FDME820NZT
Product ID
U-2349861
Case
MicroFET
Drain current
9A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
8.5nC
Gate-source voltage
±12V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
SMD
On-state resistance
24mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.1W
Pulsed drain current
40A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
