Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4 VISHAY
Toote kood: IRFD9110PBF
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-07-25 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 63 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
IRFD9110PBF
Brand
VISHAY
Supplier's product code
IRFD9110PBF
Product ID
U-218148
Case
DIP4
Drain current
-0.49A
Drain-source voltage
-100V
Gate charge
8.7nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
1.2Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.3W
Type of transistor
P-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
