Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -20V; 6.8W VISHAY
Tootekood: SIA811ADJ-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; -20V; 6.8W
Tarnija toote parameetrid
Product code
SIA811ADJ-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIA811ADJ-T1-GE3
Product ID
U-3116322
Drain current
-4.5A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
13nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.205Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
6.8W
Pulsed drain current
-8A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET + Schottky
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
