Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9A; Idm: -20A VISHAY
Toote kood: SIA4265EDJ-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9A; Idm: -20A
Tarnija toote parameetrid
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIA4265EDJ-T1-GE3
Product ID
U-3116296
Drain current
-9A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
36nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
67.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
15.6W
Pulsed drain current
-20A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Product code
SIA4265EDJ-T1-GE3
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
