Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13.9A; Idm: -60A; 33W VISHAY
Tootekood: SI7617DN-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-11-25 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 2878 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13.9A; Idm: -60A; 33W
Tarnija toote parameetrid
Product code
SI7617DN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI7617DN-T1-GE3
Product ID
U-3126036
#Promotion
aac_202202
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
-13.9A
Drain-source voltage
-30V
Gate charge
59nC
Gate-source voltage
±25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
12.3mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
33W
Pulsed drain current
-60A
Type of transistor
P-MOSFET
Unit price
No
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
