Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A VISHAY
Toote kood: SI2319DS-T1-E3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-07-18 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 4049 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
SI2319DS-T1-E3
Case
SOT23
Drain current
-2.4A
Drain-source voltage
-40V
Gate charge
17nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.13Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.8W
Pulsed drain current
-12A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2319DS-T1-E3
Product ID
U-1907832
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
