Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A VISHAY
Tootekood: SI4599DY-T1-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-09-12 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 2498 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Tarnija toote parameetrid
Product code
SI4599DY-T1-GE3
Case
SO8
Drain current
6.8/-5.8A
Drain-source voltage
40/-40V
Gate charge
38/20nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
62/42.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
3.1/3W
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N/P-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI4599DY-T1-GE3
Product ID
U-3822839
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
