Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W VISHAY
Toote kood: SIHD12N50E-GE3
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 21A; 114W
Tarnija toote parameetrid
Product code
SIHD12N50E-GE3
Supplier's product code
SIHD12N50E-GE3
Product ID
U-3045836
Case
DPAK
Drain current
6.6A
Drain-source voltage
500V
Gate charge
50nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.38Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
114W
Pulsed drain current
21A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
