Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 90A; Idm: 220A; 565W STMicroelectronics
Tootekood: SCTW90N65G2V
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 90A; Idm: 220A; 565W STMicroelectronics
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 90A; Idm: 220A; 565W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
SCTW90N65G2V
Supplier's product code
SCTW90N65G2V
Product ID
U-1919564
Case
HIP247™
Drain current
90A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
157nC
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
30mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
565W
Pulsed drain current
220A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
STMicroelectronics
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
