Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W ONSEMI
Toote kood: NTHL020N120SC1
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W ONSEMI
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
NTHL020N120SC1
Brand
ON SEMICONDUCTOR
Supplier's product code
NTHL020N120SC1
Product ID
U-1922465
Case
TO247-3
Drain current
73A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
66nC
Gate-source voltage
-15...25V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
ONSEMI
Mounting
THT
On-state resistance
28mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
267W
Pulsed drain current
412A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
