Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W STMicroelectronics
Tootekood: SCTWA30N120
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-09-19 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 1 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W STMicroelectronics
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 34A; Idm: 90A; 270W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
SCTWA30N120
Supplier's product code
SCTWA30N120
Product ID
U-1919566
Case
HIP247™
Drain current
34A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
105nC
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
270W
Pulsed drain current
90A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
STMicroelectronics
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
