Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W MICROCHIP (MICROSEMI)
Toote kood: MSC080SMA120B4
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-08-05 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 35 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
MSC080SMA120B4
Product ID
U-1906009
Case
TO247-4
Drain current
26A
Drain-source voltage
1.2kV
Features of semiconductor devices
Kelvin terminal
Gate charge
64nC
Kind of channel
enhanced
Manufacturer
MICROCHIP (MICROSEMI)
Mounting
THT
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
200W
Pulsed drain current
90A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
MICROCHIP
Supplier's product code
MSC080SMA120B4
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
