Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W STMicroelectronics
Toote kood: SCTW40N120G2VAG
Bränd
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 Ei ole saadaval | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Bränd
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W STMicroelectronics
Kasulik informatsioon
Tehnilised andmed
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 100A; 290W
Kasulik informatsioon
Tarnija toote parameetrid
Product code
SCTW40N120G2VAG
Supplier's product code
SCTW40N120G2VAG
Product ID
U-1919563
Application
automotive industry
Case
HIP247™
Drain current
25A
Drain-source voltage
1.2kV
Gate charge
63nC
Kind of package
tube
Manufacturer
STMicroelectronics
Mounting
THT
On-state resistance
0.195Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
290W
Pulsed drain current
100A
Technology
SiC
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
STMicroelectronics
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
