Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW PanJit Semiconductor
Toote kood: PJC7476-R1
Rohkem sarnaseid tooteid
Kättetoimetamise tähtajad
2024-08-22 Kui tellite praegu on eeldatav kohaletoimetamise kuupäev
Kaup tellitakse tarnija laost. Kui tarnijal ei ole võimalik tarnida kaupa näidatud kuupäevani, informeerime teid epostitsi.
 2984 tk | Tarnija ladu |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Kauba kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW PanJit Semiconductor
Tehnilised andmed
Laokood
U-3139329
NomNr
PJC7476-R1
Tarnija toote kirjeldus
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Tarnija toote parameetrid
Product code
PJC7476-R1
Supplier's product code
PJC7476-R1
Product ID
U-3139329
Case
SOT323
Drain current
0.3A
Drain-source voltage
100V
Gate charge
1.8nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
PanJit Semiconductor
Mounting
SMD
On-state resistance
9Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.35W
Pulsed drain current
0.8A
Type of transistor
N-MOSFET
The information that supplier provides may differ from the actual product. If you noticed an error please let us know by email: [email protected].
