Обычно покупаются вместе
Сроки доставки
Забрать в офисе LEMONA electronics Бесплатно
Количество в магазине
>10 шт. | Центральный склад |
Недоступно | Таллиннский филиал |
Доставка на дом
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
3,50 €
Описание товара
Описание переведено с помощью автоматического переводчика. Если вы заметите какие-либо несоответствия, пожалуйста, сообщите нам по электронной почте [email protected].
Полезная информация
Спецификации
Экспериментальное описание товара, созданное искусственным интеллектом
Транзистор MOS-N-Ch-DG 12V 30mA 800MHz SOT143 от Infineon
Представляем высококачественный полевой транзистор MOS-N-Ch-DG 12V 30mA 800MHz SOT143 от ведущего производителя Infineon. Этот компонент идеально подходит для различных применений, требующих низкого уровня шума и высокой скорости.
Основные характеристики:
- Тип: n-канальный MOSFET
- Напряжение сток-исток: 12 В
- Ток стока: 30 мА
- Частота: 800 МГц
- Корпус: SOT143
Функции и применение:
Данный транзистор MOSFET характеризуется коротким каналом и высоким коэффициентом S/C, что обеспечивает низкий уровень шума и высокое усиление в схемах с управляемым входным сигналом. Он идеально подходит для использования во входных каскадах высокочастотных устройств, работающих на частотах до 1 ГГц.
Благодаря своим характеристикам, транзистор MOS-N-Ch-DG 12V 30mA 800MHz SOT143 находит применение в различных областях, включая:
- Высокочастотную аппаратуру
- Системы связи
- Измерительную технику
Преимущества выбора:
Выбирая транзистор Infineon BF998 (или BF998R), вы получаете:
- Высокое качество и надежность, подтвержденные соответствием стандарту AEC-Q101.
- Низкий уровень шума.
- Высокую скорость работы.
- Компактный корпус SOT143.
- Бессвинцовый корпус (RoHS).
Этот транзистор является отличным выбором для профессионалов, которым необходимы высококачественные компоненты для создания надежных и высокопроизводительных устройств.
Параметр | Значение |
---|---|
Напряжение сток-исток (максимальное) | 12 В |
Ток стока (непрерывный) | 30 мА |
Мощность рассеивания (максимальная) | 200 мВт |
Закажите MOSFET транзистор уже сегодня!
Данное описание создано с использованием искусственного интеллекта (ИИ) и может отличаться от реального продукта. Распространенные ошибки искусственного интеллекта могут включать:
- Неточные характеристики продукта: некоторые технические характеристики, цвета, размеры или другие параметры могут быть неточными или отсутствовать.
- Неверная информация о совместимости: ИИ может предоставлять неверную информацию о совместимости продуктов с другими устройствами или системами.
- Чрезмерно оптимистичные функции: в некоторых случаях могут быть предоставлены характеристики, которыми продукт на самом деле не обладает.
- Несоответствие названия или модели: ИИ может исказить название или модель продукта.
Если вы заметили несоответствие или у вас есть вопросы по описанию, пожалуйста, свяжитесь с нами до покупки продукта по электронной почте: [email protected]