Транзистор MOS-N-Ch 200V 20A 150W <0.18R(12A) TO3B
Доставка в офис LEMONA electronics в течение 1-5 р. д.
 >10 шт. | Центральный склад |
 Недоступно | Таллиннский филиал |
Доставка на дом 1-5 р. д.
Получение в почтомате 1-4 р. д.
Обычно покупаются вместе
Сроки доставки
Забрать в офисе LEMONA electronics
Забрать в офисе LEMONA electronics Бесплатно
Количество в магазине
| >10 шт. | Центральный склад |
| Недоступно | Таллиннский филиал |
Доставка на дом
Доставка на дом
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
3,50 €
Описание товара
Описание переведено с помощью автоматического переводчика. Если вы заметите какие-либо несоответствия, пожалуйста, сообщите нам по электронной почте [email protected].
Полезная информация
Спецификации
Экспериментальное описание товара, созданное искусственным интеллектом
Транзистор MOS-N-Ch 200V 20A 150W <0.18R(12A) TO3B от VISHAY
Представляем мощный полевой транзистор N-канального типа от ведущего производителя VISHAY. Этот высокопроизводительный компонент идеально подходит для широкого спектра применений, где требуется высокая мощность и надежность.
Основные характеристики:
- Тип: MOS-N-Ch
- Напряжение сток-исток (VDS): 200 В
- Непрерывный ток стока (ID): 20 А
- Мощность рассеивания: 150 Вт
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)): <0.18 Ом (при 12 А)
- Корпус: TO3B
Функции и применение:
Этот транзистор идеально подходит для использования в различных мощных приложениях, таких как:
- Системы управления двигателями
- Источники питания
- Инверторы
- Сварочные аппараты
- И другие приложения, требующие высокой мощности и надежности.
Преимущества выбора данного товара:
- Высокая надежность и качество, гарантированные брендом VISHAY.
- Отличные характеристики переключения.
- Низкое сопротивление канала в открытом состоянии.
- Высокая мощность рассеивания.
- Прочный корпус TO3B обеспечивает эффективное охлаждение.
Технические характеристики (подробные данные см. в спецификации):
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Напряжение сток-исток (VDS) | 200 В |
| Непрерывный ток стока (ID) | 20 А |
| Мощность рассеивания | 150 Вт |
| Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) | <0.18 Ом (при 12 А) |
| Корпус | TO3B |
Выбирайте качественные компоненты от VISHAY для обеспечения надежной работы ваших устройств. Этот мощный и эффективный транзистор станет отличным выбором для ваших проектов.
Данное описание создано с использованием искусственного интеллекта (ИИ) и может отличаться от реального продукта. Распространенные ошибки искусственного интеллекта могут включать:
- Неточные характеристики продукта: некоторые технические характеристики, цвета, размеры или другие параметры могут быть неточными или отсутствовать.
- Неверная информация о совместимости: ИИ может предоставлять неверную информацию о совместимости продуктов с другими устройствами или системами.
- Чрезмерно оптимистичные функции: в некоторых случаях могут быть предоставлены характеристики, которыми продукт на самом деле не обладает.
- Несоответствие названия или модели: ИИ может исказить название или модель продукта.
Если вы заметили несоответствие или у вас есть вопросы по описанию, пожалуйста, свяжитесь с нами до покупки продукта по электронной почте: [email protected]
