Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; ChipFET VISHAY
Номер продукта: SI5935CDC-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; ChipFET
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SI5935CDC-T1-GE3
Case
ChipFET
Drain current
-4A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
11nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.1Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
-10A
Type of transistor
P-MOSFET x2
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI5935CDC-T1-GE3
Product ID
U-3817098
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
