Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -12A; Idm: -50A
Параметры товара поставщика
Product code
SIA477EDJ-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIA477EDJ-T1-GE3
Product ID
U-3116313
Drain current
-12A
Drain-source voltage
-12V
Gate charge
83nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
32mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
19W
Pulsed drain current
-50A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].