Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.5A; Idm: -30A
Параметры товара поставщика
Product code
SI4447DY-T1-GE3
Supplier's product code
SI4447DY-T1-GE3
Product ID
U-3127377
Case
SO8
Drain current
-4.5A
Drain-source voltage
-40V
Gate charge
14nC
Gate-source voltage
±16V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
72mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
-30A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].