Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW VISHAY
Номер продукта: SI1013CX-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-08-21 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2990 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW
Параметры товара поставщика
Supplier's product code
SI1013CX-T1-GE3
Product ID
U-3127365
Case
SC89
Drain current
-0.45A
Drain-source voltage
-20V
Gate charge
2.5nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
1.5Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.19W
Pulsed drain current
-1.5A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Product code
SI1013CX-T1-GE3
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
