Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.7A; Idm: -6.8A VISHAY
Номер продукта: SQ2309ES-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -1.7A; Idm: -6.8A
Параметры товара поставщика
Product code
SQ2309ES-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SQ2309ES-T1-GE3
Product ID
U-3733676
Case
SOT23
Drain current
-1.7A
Drain-source voltage
-60V
Gate charge
8.5nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
704mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
-6.8A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
