Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A VISHAY
Номер продукта: SI2319DS-T1-E3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-07-18 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 4049 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Полезная информация
Параметры товара поставщика
Product code
SI2319DS-T1-E3
Case
SOT23
Drain current
-2.4A
Drain-source voltage
-40V
Gate charge
17nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.13Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.8W
Pulsed drain current
-12A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2319DS-T1-E3
Product ID
U-1907832
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
