Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -7.1A; Idm: -20A VISHAY
Номер продукта: SI2333CDS-T1-E3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-08-08 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2488 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -7.1A; Idm: -20A
Параметры товара поставщика
Case
SOT23
Drain current
-7.1A
Drain-source voltage
-12V
Gate charge
25nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
59mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2.5W
Pulsed drain current
-20A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
P-MOSFET
Product code
SI2333CDS-T1-E3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SI2333CDS-T1-E3
Product ID
U-3822830
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
