Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMG3415UFY4Q-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -16V; -2.2A; Idm: -12A; 1.35W
Параметры товара поставщика
Product code
DMG3415UFY4Q-7
Supplier's product code
DMG3415UFY4Q-7
Product ID
U-2876034
Application
automotive industry
Case
X2-DFN2015-3
Drain current
-2.2A
Drain-source voltage
-16V
Gate charge
10nC
Gate-source voltage
±8V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
65mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
1.35W
Pulsed drain current
-12A
Type of transistor
P-MOSFET
Brand
DIODES INCORPORATED
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
