Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 2W; SOP8 ROHM SEMICONDUCTOR
Номер продукта: SH8K52GZETB
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 3A; Idm: 12A; 2W; SOP8
Параметры товара поставщика
Product code
SH8K52GZETB
Case
SOP8
Drain current
3A
Drain-source voltage
100V
Features of semiconductor devices
ESD protected gate
Gate charge
8.5nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
ROHM SEMICONDUCTOR
Mounting
SMD
On-state resistance
0.19Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
12A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
ROYAL OHM
Supplier's product code
SH8K52GZETB
Product ID
U-2966396
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
