Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW DIODES INCORPORATED
Номер продукта: DMN3401LDW-7
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара
Марка
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW DIODES INCORPORATED
Спецификации
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW
Параметры товара поставщика
Product code
DMN3401LDW-7
Supplier's product code
DMN3401LDW-7
Product ID
U-2876186
Case
SOT363
Drain current
0.6A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
1.2nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
DIODES INCORPORATED
Mounting
SMD
On-state resistance
0.7Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
0.35W
Pulsed drain current
4A
Type of transistor
N-MOSFET x2
Brand
DIODES INCORPORATED
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
