Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 120A; Idm: 250A
Параметры товара поставщика
Product code
SUP60030E-GE3
Supplier's product code
SUP60030E-GE3
Product ID
U-3116650
Case
TO220AB
Drain current
120A
Drain-source voltage
80V
Gate charge
141nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
3.6mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
375W
Pulsed drain current
250A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].