Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 17.6A; Idm: 60A; 2W
Параметры товара поставщика
Product code
SISH108DN-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SISH108DN-T1-GE3
Product ID
U-3046193
Case
PowerPAK® 1212-8
Drain current
17.6A
Drain-source voltage
20V
Gate charge
30nC
Gate-source voltage
±16V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
6.1mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
2W
Pulsed drain current
60A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].