Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A VISHAY
Номер продукта: SIRC18DP-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A
Параметры товара поставщика
Product code
SIRC18DP-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIRC18DP-T1-GE3
Product ID
U-3046136
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
60A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
111nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
1.54mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
34.7W
Pulsed drain current
250A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET + Schottky
Unit price
No
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
