Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 268A; Idm: 350A
Параметры товара поставщика
Product code
SIRA20BDP-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIRA20BDP-T1-GE3
Product ID
U-3046109
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
268A
Drain-source voltage
25V
Gate charge
186nC
Gate-source voltage
-12...16V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
820µΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
67W
Pulsed drain current
350A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].