Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A VISHAY
Номер продукта: SIRA18ADP-T1-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
2024-09-02 Планируемая доставка, если Вы закажете сейчас
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 2980 шт. | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Параметры товара поставщика
Product code
SIRA18ADP-T1-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIRA18ADP-T1-GE3
Product ID
U-3046106
Case
PowerPAK® SO8
Drain current
24.5A
Drain-source voltage
30V
Gate charge
21.5nC
Gate-source voltage
-16...20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
13.5mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
9.4W
Pulsed drain current
70A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
