381 000 products sold on & & eBay. Find out more

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 11A; 313W; TO220AB VISHAY

Номер продукта: SIHP38N60EF-GE3
no gallery
no gallery
Bränd
Больше похожих продуктов

Приносим наши извинения, но данный товар отсутствует.

Рекомендуем выбирать из:

Другие товары в этой категории

Сроки доставки

Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.

НедоступноНедоступно

Склад поставщика

home delivery

Kulleriga koju

Kulleriga koju

Üle 25,00 €

(Tellimused kuni 1000 kgs)

Tasuta

25,00 €-le

(Tellimused kuni 1000 kgs)

4,50 €

Shipping parcel

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele

Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.

3,50 €

Описание товара

Bränd
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 11A; 313W; TO220AB VISHAY

Спецификации

Laokood
U-3047464
Bränd
NomNr
SIHP38N60EF-GE3

Описание товара от поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 11A; 313W; TO220AB

Параметры товара поставщика

Product code
SIHP38N60EF-GE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHP38N60EF-GE3
Product ID
U-3047464
Case
TO220AB
Drain current
25A
Drain-source voltage
600V
Gate charge
189nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tube
Manufacturer
VISHAY
Mounting
THT
On-state resistance
70mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
313W
Pulsed drain current
11A
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].