Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W VISHAY
Номер продукта: SIHFBF20S-GE3
Bränd
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Kulleriga koju
Kulleriga koju
Üle 25,00 € (Tellimused kuni 1000 kgs) | Tasuta |
25,00 €-le (Tellimused kuni 1000 kgs) | 4,50 € |
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Kohaletoimetamine DPD pakiautomaatidele
Pärast kauba kullerile üleandmist teavitame teid sellest e-posti teel.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Параметры товара поставщика
Product code
SIHFBF20S-GE3
Case
D2PAK
Drain current
1.1A
Drain-source voltage
900V
Gate charge
38nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
8Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
54W
Pulsed drain current
6.8A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHFBF20S-GE3
Product ID
U-3047446
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
