Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 4A; Idm: 12A; 78W; DPAK,TO252 VISHAY
Номер продукта: SIHD6N62E-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 4A; Idm: 12A; 78W; DPAK,TO252
Параметры товара поставщика
Product code
SIHD6N62E-GE3
Supplier's product code
SIHD6N62E-GE3
Product ID
U-3045846
Case
DPAK
Drain current
4A
Drain-source voltage
620V
Gate charge
34nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.9Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
78W
Pulsed drain current
12A
Type of transistor
N-MOSFET
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
