Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W
Параметры товара поставщика
Product code
SIHB24N80AE-GE3
Case
D2PAK
Drain current
13A
Drain-source voltage
800V
Gate charge
89nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
184mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
208W
Pulsed drain current
51A
Type of transistor
N-MOSFET
Supplier's product code
SIHB24N80AE-GE3
Product ID
U-3045827
Brand
VISHAY
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].