Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 208W VISHAY
Номер продукта: SIHB21N65EF-GE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; Idm: 53A; 208W
Параметры товара поставщика
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIHB21N65EF-GE3
Product ID
U-3045817
Case
D2PAK
Drain current
13A
Drain-source voltage
650V
Gate charge
106nC
Gate-source voltage
±30V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
0.18Ω
Polarisation
unipolar
Power dissipation
208W
Pulsed drain current
53A
Type of transistor
N-MOSFET
Unit price
No
Product code
SIHB21N65EF-GE3
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
