Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39.6A; Idm: 80A VISHAY
Номер продукта: SIDR610DP-T1-RE3
Марка
Больше похожих продуктов
Сроки доставки
Товар заказывается со склада поставщика. Если поставщик не сможет доставить данный товар до указанной даты, мы информируем Вас по электронной почте.
 Недоступно | Склад поставщика |
Доставка на дом
Доставка на дом
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
Более 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | Бесплатно |
К 25,00 € (Заказы до 1000 кг) | 4,50 € |
Получение в почтомате
Получение в почтомате
После передачи товара курьеру мы сообщим вам об этом по электронной почте.
3,50 €
Описание товара от поставщика
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 39.6A; Idm: 80A
Параметры товара поставщика
Product code
SIDR610DP-T1-RE3
Brand
VISHAY
Supplier's product code
SIDR610DP-T1-RE3
Product ID
U-3116358
Drain current
39.6A
Drain-source voltage
200V
Gate charge
38nC
Gate-source voltage
±20V
Kind of channel
enhanced
Kind of package
tape
Manufacturer
VISHAY
Mounting
SMD
On-state resistance
33.4mΩ
Polarisation
unipolar
Power dissipation
125W
Pulsed drain current
80A
Technology
TrenchFET®
Type of transistor
N-MOSFET
Информация, предоставленная поставщиком, может отличаться от самого продукта. Если вы заметили неточности, сообщите нам об этом, написав на адрес [email protected].
